據市調機構 DRAMeXchange 表示， DRAM 現貨市場因為庫存水位不低， DDR2 價格延續近期的走勢持續疲軟， DDR2 512Mb eTT 顆粒收在 0.82 美元，跌幅約 11.8% ；而 DDR2 1Gb eTT 顆粒則下滑至 1.65 美元，跌幅約 13.6% 。值得注意的是 ， DDR2 1Gb 品牌顆粒的價格大幅下滑 18.2% 到 2.01 美元，主要原因 是受到上週的 DDR2 1Gb eTT 顆粒跌幅過快與合約價持續探底的雙重影響，再加上整體需求面依然不佳， DRAMeXchange 預估現貨市場價格仍會持續往下， DDR2 512Mb eTT 顆粒甚至將可能跌破 0.8 美元的目前關卡。

據了解， 11 月下旬的 DRAM 合約市場， DDR2 667 1GB 記憶體模組平均成交價約為 20 美元，與 11 月上旬 相較，跌幅約 10% 。根據 DRANeXchange 分析，除了 OEM 廠商拿貨的意願低落 之外，現貨市場跌價速度過快，也是造成合約價格走弱的主要原因。 12 月份適逢歐美的聖誕假期，在 OEM 廠商備貨意願不高的情形下，對於 12 月上旬合約價的議定，預期仍維持下跌的趨勢。

至於在 NAND Flash 方面， 11 月下旬 NAND Flash 合約價大致呈現持平的狀況，主要是因為下游客戶在 11 月上旬的庫存水位已有降低，加上部份廠商在 11 月下旬也開始準備年底銷售旺季前所需的晶片，使價格呈現比較止穩的現象。自 9 月初以來 NAND Flash 價格連續跌幅已過深， DRAMeXchange 預期 NAND Flash 合約價可望在年終旺季前的需求支援下，短期內呈現走穩的趨勢.