１．强U有时可补弱记忆体。
２．记忆体电压暂时不用升。(现应是2.7V吧)。
３．可试一下参数更改：
没写的照旧，改的是：
第一、TRC：原为12，改为16
原因：TRC参数，一般是等于TRAS + TRP，您的TRAS为8，TRP为4，相加为12，并没错。
但是，超频时，不是很强的记忆体，参数值以15~17为最稳，我们取16的数值。
第二、TRFC：原为16，改为18
原因：一般定TRFC参数值的方式，是将TRC值，加２到４。
TRC参数改16了，再小加2，成为18
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各方向试一下，跑2G，当然比跑1G爽。
小弟认为您一定会成功。当然，不见得是用小弟的方法，而是，在您摸索中，飞速的进步，会
使您找出您自已正确的数值。
加油！
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后补：下面是小弟在「055O UPMW周期的AMD OPTERON 165超频探测」，该文一楼，有小
弟的记忆体参数设定。
http://bbs.mychat.to/read.php?fid=457&tid=511262&page=1记忆体不同，没太大参考价值。要您参考的是：
小弟经过十天以上的测试，除了下面的参数可以成功跑完SP2004（AMD OPTERON 165）
9*300，或跑半程的9*312之外。只要更动下面任何一个参数设定，从没成功过测。所以，记
忆体参数设定，也占超频成败极大的因素。
下面是引用woolswell于2006-02-16 23:55发表的 :
BIOS设定不写出，大家也难指导。
原以MEMTES 86测48小时，9*313过测的设定如下（有括号内的为现在改变的设定）：
我的BIOS 设定
１．电压设定：
CPU电压：1.48 （现设1.328V）
记忆体电压： 2.7V
主机板晶片组电压：1.50V
２．CPU设定
FSB BUS Frequency：313(现设300)
LTD/FSB Frequency Ratio： 3.0
CPU/FSB Frequency Ratio：9
３．记忆体设定
DRAM FREQUENCY SET： 200(RAM/FSB:01/01)
Command Per Clock (1T/2T)：ENABLE(即1T)
Cas Latency Control (Tcl)： 2.5(现改为3)
Ras# toCas#delay (Trcd)： 04 (现改为4)
Min Ras# Active time (Tras)： 07 (现改为8)
Row Precharge time (Trp)： 03 (现改为4)
Row Cycle time (Trc)： 08 (现改为16)
Row Reflash cycle time(Trfc)：15 (现改为18)
Row to Row delay (Trrd)： 02(现改为3)
Write recovery time (Twr)： 03
Write to Read delay (Twtr)： 02
Read to Write delay (Trwt)： 03
Refresh Period (Tref)：Auto
Write Cas Latency (Twcl)：１（现改为Auto)
Dram Bank Interleave ：Enable
.......
＊＊上面所写（现改为ＸＸＸ）的，是指实际测试OPTERON165时，所用的参数。 
