１．強U有時可補弱記憶体。
２．記憶体電壓暫時不用升。(現應是2.7V吧)。
３．可試一下參數更改：
沒寫的照舊，改的是：
第一、TRC：原為12，改為16
原因：TRC參數，一般是等於TRAS + TRP，您的TRAS為8，TRP為4，相加為12，並沒錯。
但是，超頻時，不是很強的記憶体，參數值以15~17為最穩，我們取16的數值。
第二、TRFC：原為16，改為18
原因：一般定TRFC參數值的方式，是將TRC值，加２到４。
TRC參數改16了，再小加2，成為18
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各方向試一下，跑2G，當然比跑1G爽。
小弟認為您一定會成功。當然，不見得是用小弟的方法，而是，在您摸索中，飛速的進步，會
使您找出您自已正確的數值。
加油！
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後補：下面是小弟在「055O UPMW週期的AMD OPTERON 165超頻探測」，該文一樓，有小
弟的記憶体參數設定。
http://bbs.mychat.to/read.php?fid=457&tid=511262&page=1記憶体不同，沒太大參考價值。要您參考的是：
小弟經過十天以上的測試，除了下面的參數可以成功跑完SP2004（AMD OPTERON 165）
9*300，或跑半程的9*312之外。只要更動下面任何一個參數設定，從沒成功過測。所以，記
憶体參數設定，也佔超頻成敗極大的因素。
下面是引用woolswell於2006-02-16 23:55發表的 :
BIOS設定不寫出，大家也難指導。
原以MEMTES 86測48小時，9*313過測的設定如下（有括號內的為現在改變的設定）：
我的BIOS 設定
１．電壓設定：
CPU電壓：1.48 （現設1.328V）
記憶体電壓： 2.7V
主機板晶片組電壓：1.50V
２．CPU設定
FSB BUS Frequency：313(現設300)
LTD/FSB Frequency Ratio： 3.0
CPU/FSB Frequency Ratio：9
３．記憶体設定
DRAM FREQUENCY SET： 200(RAM/FSB:01/01)
Command Per Clock (1T/2T)：ENABLE(即1T)
Cas Latency Control (Tcl)： 2.5(現改為3)
Ras# toCas#delay (Trcd)： 04 (現改為4)
Min Ras# Active time (Tras)： 07 (現改為8)
Row Precharge time (Trp)： 03 (現改為4)
Row Cycle time (Trc)： 08 (現改為16)
Row Reflash cycle time(Trfc)：15 (現改為18)
Row to Row delay (Trrd)： 02(現改為3)
Write recovery time (Twr)： 03
Write to Read delay (Twtr)： 02
Read to Write delay (Trwt)： 03
Refresh Period (Tref)：Auto
Write Cas Latency (Twcl)：１（現改為Auto)
Dram Bank Interleave ：Enable
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＊＊上面所寫（現改為ＸＸＸ）的，是指實際測試OPTERON165時，所用的參數。 
