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http://www.wunzhang.com/releas...eb363799.htmDDRAM History: DDR、DDR2和DDR3都是属于SDRAM家族的记忆体产品。以DDR为例，正式的称法应是
DDR SDRAM（双通道同步动态随机存取记忆体，Double Date Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)，即为具有双倍资料传输率之SDRAM，电脑系统同时利用系统汇流排时脉的上升和下降来存取记忆体资料，令记忆体的频宽增加一倍，优于传统的SDRAM。
DDR2和DDR3即为更新一代的DDR SDRM产品。DDR2是基于现有DDR记忆体技术，并在关键领域效能有所提升。举例而言，DDR2拥有4bit的数据预先存取能力，在同等核心频率下， DDR2拥有两倍的DDR数据传输率。
DDR3则是更新一代的架构。虽然JEDEC（记忆体工业标准组织）尚未确立DDR3的标准，但是大体而言，
DDR3 采用 8 bit 预先取设计，较 DDR2 4bit 的预取设计为倍数成长，运算时脉介于 800MHz -1600MHz之间 。此外，
DDR3 的规格要求将电压控制在 1.5V ，较 DDR2 的 1.8V 更为省电。此外， DDR3 采用 ASR(Automatic self-refresh) 的设计，以确保在资料不遗失情况下，尽量减少更新频率来降低温度。【注1】
DDR2与DDR3的差异点：【注2】
(1.) 规格方面：目前 DDR3 的详细规格仍未完全确定，但是以具体设计来看， DDR3 与 DDR2 基本结构并无太大不同。
(2.) 存贮器传输速度：由于未来存贮器传输速度不断提高，因此 DDR3 所拥有的特色，必须要有
更高的传输速度以及将功耗进一步降低。根据 JEDEC 的标准，
DDR3 采用 8 bit 预取设计，较 DDR2 4bit 的预取设计为倍数成长，运算时脉介于 800MHz -1600MHz 。(3.) 电压与功率变化：
因应速度增加所产生的热量，因此电压之降低是一个很重要的条件，目前
DDR3 的规格要求将
电压控制在 1.5V ，较
DDR2 的 1.8V 更为省电。此外，并新增 thermal sensor 的功能，由于存贮器为了要确保所存贮的资料不遗失，因此必须要定期 self-refresh ，不过为了节省电力，
DDR3 采用 ASR(Automatic self-refresh) 的设计，以确保在资料不遗失情况下，尽量减少更新频率来降低温度(4.) 主生产制程及颗粒规格 :在 density 上，不同于 DDR 的 256Mb ， DDR2 的 512Mb ， DDR3 预期会由 1Gb 导入以符合当时市场需求。此外，在生产的制程上，也不同于 DDR2 在 0.11um 制程上生产，
DDR3 预期会在 70nm 的制程上作量产。DDRIII Milestone：【注1】
拜英特尔和AMD宣布转进DDR2技术所赐——英特尔宣布915到975系统晶片组的平台开始规定使用DDR2记忆体模组，而AMD也表示在 Socket939架构转换到SocketM2，需要与DDR2搭配使用。致使 DDR2俨然一副取代传统DDR记忆体的架式，而DRAM价格的持续下滑，也令DDR2取代DDR的脚步加快许多。
*根据国内市场研究机构DRAM exchange的产业研究报告，DDR2预计在2006年Q2比例超越50%。
在Kingston宣布不自外于DDR3技术之前，事实上其他记忆体模组大厂如三星、 Infineon、ELPIDA 等 DRAM 厂业已在今年Computex展上宣布成功开发出 DDR3 藉此来表明自己实力。对此Kingston表示，DDR3技术研发一直都在进行，但是一直到英特尔确立了桌上型和伺服器四核心处理器（代号分别为 Clovertown和 Kentsfield）将从2007上半年提前到今年第四季推出，AMD也表示明年中推出四核心Opteron之后，Kingston才比较愿意发表 DDR3的产品时程。
*「否则看不出来DDR3的市场接受原因在哪里，」Kingston亚太业务行销总监徐石琦说。
除了四核心技术将拉抬DDR3应用外，英特尔和AMD两大处理器厂商的动作，也显示DDR3已纳入技术重点。外电报导，转进DDR2脚步较英特尔缓慢的 AMD，已与另一半导体厂商SimpleTech宣布合作，计画在JEDEC（记忆体工业标准组织）会议中，展开订定基于DDR3的SDRAM记忆体模组的功能规格。
*而英特尔在明年第二、三季，将陆续推出多款名为Bearlake晶片组，正式提供对DDR3的支持。
根据英特尔的预计，DDR3甫面市的价格要比DDR2高出60％左右，不过到2008年底就会降低到只有 10％，在
2009年DDR3正式成为主流。 奇梦达公司(Qimonda) DDR3发展蓝图：【注3】
奇梦达公司(Qimonda)宣布针对各大主机板厂商与超频记忆体模组制造商提供新型DDR3元件与模组产品。此外，奇梦达新一代的DDR3 DRAM产品，已通过英特尔相关平台认证。
奇梦达目前推出512Mb DDR3 SDRAM元件与512MB与1GB容量的DDR3 unbuffered-DIMM记忆体。这些新元件可支援800MHz、1066MHz、与1333MHz等运作时脉，甚至能超频到1600MHz以上。
超频这项热门技术让PC系统能获得更高的效能，以支援3D游戏等高阶应用，其原理是让微处理器或记忆体的运作时脉超过额定的速率。该调校方法可让系统效能提升30%。
新款高速DDR3元件与模组可满足包括各种桌上型电脑、笔记型电脑、工作站等个人系统的所有需求，并能支援处理大量资料的应用，像是影片编辑与高阶游戏。 奇梦达的发展蓝图在于全力支援最重要的主流元件，首先推出512Mb与1Gb版本，并将陆续推出更高容量的元件。
奇梦达的512Mb DDR3元件采用PG-TFBGA-78封装，已开始供货，并预计在2007下半年全面量产。512MB与1GB容量版本的Unbuffered DIMM (以512Mb元件为开发基础)现已开始接单。 Appendix:什么是DRAM？动态随机存取记忆体(Dynamic Random Access Memory，DRAM)属于一种挥发性记忆体(volatile memory)，主要的作用原理是利用电容内储存电荷的多寡来代表一个二进位位元(bit)是1还是0。由于在现实中电容会有漏电的现象，导致电位差不足而使记忆消失，因此除非电容经常周期性地充电，否则无法确保记忆长存。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为「动态」记忆体。相对来说，「静态」记忆体 (SRAM)只要存入资料后，纵使不刷新也不会遗失记忆。 DRAM的记忆单元与SRAM相比，DRAM的优势在于结构简单，每一个位元的资料都只需一个电容跟一个电晶体来处理，相比之下在SRAM上一个位元通常需要六个电晶体。因此，DRAM拥有高密度，低成本的优点，但是它也有存取速度较慢，耗电量较大的缺点。【注3】
Reference：注1.
http://taiwan.cnet.co...rdware/0,2000064553,20110431,00.htm
【四核时代来临 拉抬记忆体技术转进DDR3】
注2.
http://www.wunzhang.com/releas...eb363799.htm【DRAMeXchange产业研究报告: DDR3预计2009年才有机会成为主流】
注3.
http://www.eettaiwan.com/ART_8800...P_c68613eb.HTM【奇梦达新款DDR3元件与模组获英特尔平台认证】
