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了解记忆体的设定后.要最佳化还是超频都是自然而然的事情了
TOM'S的文章
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如何在BIOS中调整你的RAM
主机板的BIOS清单中提供了很多的设定，你可以用来将你的记忆体作最佳化。这些设定可以用来调校RAM的功能，不过基本上，这些功能经常以不同的名称出现。我们将会简短的解释这些设定选项。在括弧中的是这个设定可以选用的值，理想值则是以底线标注。我们也将不同BIOS版本，但是功能相同的选项名称放在一起。不过请注意，并不是所有的BIOS清单都提供所有的设定选项。
Automatic Configuration「自动设定」（On/ Off）
（DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring）如果你要手动调整你的记忆体时序，你必须关闭这个让电脑为你设定的功能。
Bank Interleaving（Off/ 2/ 4）
（Bank Interleave）DDR RAM的记忆体晶片是由4个Bank所组成。经由Interleaving，同时对4个Bank作定址，可以将效能提升到最高。
Burst Length「爆发长度」（4/ 8）
这个选项所决定的是，在一个传输循环中，要送出多少资料区块。理想上，在目前Pentium 4和超微Athlon XP的中央处理器的L2 Cache（L2 快取）上，一次传输会填入一个记忆体列。一个记忆体列等于64位元，或者是说8个资料封包（Data Packet）。
CAS Latency tCL「行位址控制器延迟时间」（1.5/ 2.0/ 2.5/ 3.0）
（CAS Latency Time、CAS Timing Delay）从已经定址的行，到达输出暂存器的资料所需的时脉循环数。记忆体制造商将最佳的可能设定值以CL Rating的方式作列表。
Command Rate CMD（1/ 2）
（Command Rate、MA 1T/2T Select）以要求的资料区间来定址记忆体模组和记忆体晶片所需的时脉循环数。如果你的记忆体插槽已经全部插满，你必须将这个比值调整到2，不过这样会使得效能明显下降。
RAS Precharge Time tRP「列位址控制器预充电时间」（2/ 3）
（RAS Precharge、Precharge to active）对回路作预充电所需的时脉循环数，以决定列位址。
RAS-to-CAS Delay tRCD「列位址至行位址延迟时间」（2/ 3/ 4/ 5）
（RAS to CAS Delay、Active to CMD）在已经决定的列位址和已经送出行位址之间的时脉循环数。将这个设定值设成2可以将效能提高最多4%。
Row Active Time tRAS「列动态时间」（5/ 6/ 7）
（Active to Precharge Delay、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay）当一个记忆体晶片上两个不同的列逐一定址所造成的延迟。
Memory Clock「记忆体时脉」（100/ 133/ 166/ 200 MHz）
（DRAM Clock）指定记忆体汇流排的时脉速度。这个指定的比率与前级汇流排时脉有关。DDR技术（双资料率）可以经由实际的汇流排时脉速度把资料率加倍。
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