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2006-12-1/ 資訊傳真周刊/ 撰文
傳統 DDR 記憶體 運作時脈約為266MHZ到400MHZ，而某些公司利用特別挑選的元件，可以推展到600MHZ；一般標準的 DDR2 工作頻率是800MHZ，但是許多廠商都推出給超頻狂熱者使用的1066MHZ產品。
在上個月 Nvidia 公司，交給雜誌測試人員的Nforce 680i當中，第一次提到新的運作速度，也就是即將推出的 Corsair Dominator超頻記憶體，將會以DDR2-1200的速度運作，也將會探討延伸原先1066MHZ的速度到標準當中。
事實上，使用者可能沒有辦法在低於2.2伏特的電壓下，運作如此高的速度，因為，這要比DDR2原先所定義的1.8伏特電壓規格來的高上一些，在許多例子中，將會建議使用2.3伏特的電壓操作，這樣一來便與原先採用2.5伏特的DDR記憶體相當接近；但目前並不確定能否使用1.5伏特的 DDR3 記憶體能，否達到1333MHZ的速度。
目前DDR3依舊在初期階段，部分原因是市場尚無需求，且也沒有任何的主流晶片組支援該規格。在超微方面，至少還需要九個月的時間，等待K8L核心與AM3插座的版本上市；雖然可以提供1.5伏特運作DD3-1600的規格，但都需要一段時間才來得及上市。
不過在此之前，2007年底時Altair FX將會先行採用改良式的DDR2雙通道控制器，而不是標準的1066MHZ運作速度，達到提生效能的目的。
而在英特爾陣營方面，即將推出非英特爾解決方案的工作站級晶片組，將支援雙通道、雙插槽的Woodcrest與Clovertown架構，也將會是開始支援DDR3的好目標，雙通道DDR3-1333的版本，將可以與雙1333FSB的方式抗衡，不需要將FSB都超頻到1600MHZ，因為事實上DDR3的規格，本身在上市的時候，就會支援1600MHZ的速度。
有趣的是，與兩年前DDR1到DDR2的延遲參數相比，DDR2到DDR3似乎沒有這個問題，即使是第一款的DDR3-1333，都預計會有CL6延遲數據，許多產品甚至也可以做到CL5，或是之後的DDR3-1600 CL6；而除了標準化的產品外，也會有針對挑選過的元件，所推出的更高速度版本。同時，新推出的產品也都具備低耗能、低發熱的特性。
PS:這下"精選"的製成品不知價格上,將如何界定.
