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yhongnian

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[测试][硬碟] [XF]晶圆霸主初试啼声 - INTEL X25M SSD固态硬碟

犹记得接近20年前笔者买进了真正属于自己的人生第一部DIY PC，在这近20年间，CPU、记忆体、主机板、显示卡等，透过制程不断的精进及封装技术的提升，时至今日都进步到了一个当初我们无法想像的境界。仔细想想，以机械结构为主的硬碟似乎仍不上这些零组件性能提升的脚步，只能透过增加马达转速并提高快取数量去压榨出硬碟的效能，相较之下似乎没有一个真正有效的方式能够让硬碟存取速度有大幅度的跃进。
约在０６年的时候Samsung推出了FLASH记忆体产品，应用皆以随身碟、MP3为主，当时即有硬碟厂商除透过磁盘、磁头、马达等机械结构所组成的硬碟，推出了基于NAND FLASH记忆体搭配上控制晶片组共同组合成的固态硬碟，英文名称为(Solid State Disk)，也就是今时今日所看到的SSD固态硬碟，在当时由于NAND FLASH颗粒仅有Samsung能够量产供应，且封装的技术也未像现今成熟，因此只能用天价来形容这个产品，但速度快、低温度、功耗低、体积小以及高度的防震性，相当合适笔记型电脑等移动式作业平台，或是对电池续航力及温度控制上及抗震设计锱铢必较的产品，在当时即可预见在未来绝对是市场上炙手可热的资料储存替代方案。除了韩国几家大厂，擅长熟悉于晶片封装设计的INTEL当然也没在这个领域缺席，推出了X25-E、X25-M及X18-M三款系列的SSD硬碟，其中X25-E、X25-M采用2.5英吋设计，也就是一般笔记型电脑所使用的硬碟尺寸，而X25-E代表其属于Extreme系列，采用了更高速的SLC NAND Flash记忆体，主要提供给对资料有极为严谨的伺服器及高阶工作站使用。聪明的您应该也猜到了，X18-M自然就是采用了1.8英吋设计，提供给NetBook等手持式设备安装使用，而尾数的M即是代表了”Mainstream”，产品定位在主流级的应用，在记忆体方面，也改采以MLC NAND FLASH作为储存资料的记忆体，本次有幸商借到了INTEL X25-M SSD固态硬碟，接着透过一些测试来看看固态硬碟带给了我们甚么新的体验 !!

首先来看看INTEL X25-M SSD的各项规格组态
INTEL X25-M SSD的容量为80GB，采用普遍的SATA介面，支援SATA II并向下相容于SATA I，规格上最高读取速度可达250MB/秒，写入则到了70MB/秒，在工作的电源供耗仅使用0.15W，闲置时的供耗也仅0.06W，1000G/0.5ms的抗震能力，相当符合前面所提到的SSD高速、低耗电及高抗震力的各项优点。

INTEL X25-M SSD采用标准2.5吋硬碟尺寸设计，7mm的厚度比一般2.5硬碟约薄了2mm，外观采用黑色铝质金属外壳，除了有了沉稳的视觉感受外，也能有效的屏蔽掉一些电磁特性。

前面提到的采用现在相当普遍的SATA介面，同时支援SATA I 以及SATA II，传输理论值最高可达3.0Gb/s

使用四颗一般的十字螺丝固定上下盖，拆卸下后可见到采用铝质金属外壳

PCB板正面各为控制晶片、作为缓冲使用的记忆体以及FLASH记忆体

背面同样为FLASH记忆体

对INTEL这样的晶片领导厂商，SSD的控制晶片又怎么会难倒他 ? 控制晶片采用自家设计型号为PC29AS21AA0做为桥梁，最大存取通道为10路。值得一提的是由于SSD的设计与制造与传统硬碟的相比门槛相对降低许多，因此市面上可以看到许许多多品牌皆推出同家厂商所提供的OEM/ODM SSD固态磁碟产品，而INTEL在记忆体内的管理及演算法皆有其独到的设计，目的在于解决写入放大(Write Amplification)及耗损平均(Wear Leveling)的问题，相形下能够提高确保资料的可靠度并延长SSD使用寿命。
控制器旁边内建由SAMSUNG所生产型号K4S281632I-UC60的SDRAM。这颗SDRAM记忆体采用8Mb X 16 54Pin TSOP2封装，工作时脉166MHz当作为缓冲记忆体。FLASH记忆体则使用Intel与Micron(美光)合资所制造，单颗容量为4GB MLC NAND FLASH记忆体，正反面共20颗记忆体，总容量共为80GB。

硬体设计部分看完了，接着就采用各种测试软体实际上机测试来看看INTEL X25-M SSD是否能带给我们有别于传统硬碟惊艳的效能 !

ATTO DiskBench
在ATTO DiskBench下测得的数据，读取约268MB/s，写入约为72MB/s

FDBenchMark
FDBench也达到了读取约252MB/s，写入约为71MB/s，而随机读取及写入则各为145MB/s及38MB/s

HDTach LongBench Test
在HDTach LongBench测试的表现也都在INTEL提供的官方数据Read/250MBs水准之上，感觉最好的还是那个0.1ms的Random Access Time，这是传统机械硬碟不可能达到的水准，读取的曲线在MLC SDD的表现也尚称稳定

HDTach QuickBench Test
HDTach QucikBench的测试结果与HDTach LongBench的表现相差无几

HDTune / Read Test
在HDTune的测试下，平均读取速度约在216MB/s左右

HDTune / Random Read Test
随机读取速度平均则在184MB/s左右

HDTune / Write Test
在写入的部分，平均写入时间约在72MB/s

HDTune / Random Write Test
随机写入的部分则约74MB/s上下

IOMETER / 4K Read
再IOMETER采用较为严峻的4K Read测试，平均每秒约63MB/s

IOMETER / 2M Read
而较为一般的2M Read则有约172Mb/s的效能

IOMETER / 4K Write
IOMETER / 4K Write测试每秒写入约30MB/s

IOMETER / 2M Write
而在2M Write则到了68MB/s上下

Sandra / Read
在老牌的测试软体Sandra下，X25-M SSD又会有甚么表现呢?
读取的速度达到了241MB/s左右

Sandra / Write
写入则有73MB/s

Crystal DiskMark
许多玩家爱用的Crystal DiskMark也没有缺席，读写速度也各来到了260MB/s 与75MB/s

看了一堆截图一定会消化不良，懒得看截图的朋友小弟在这也做了一张整体数据的总表，每个测试项目后面代表的数据为每秒的传输速度，单位为MB/s，提供给各位做个整体的参考数据

后记
传统硬碟进步到今日，2TB的容量都已经出现在市场上，虽然这段漫长的期间曾经出现如MO之类的不少储存技术试着想取代传统硬碟成为新一代的储存媒介，但就方便性及效能上的考量亦或是储存的单位成本，皆无法有效的取代传统硬碟而败下阵来，随着技术的精进，SSD固态硬碟的价格逐渐符合市场所能接受的预期。
在测试的过程中，INTEL X25-M始终维持安静低温的特性，读取效能也轻松的突破了一般传统硬碟甚至是组成RAID的读取效率，惟其采用MLC NAND FLASH记忆体而使得写入的效率与高阶万转硬碟仍有部分差距，相信采用SLC NAND FLASH的INTEL X25-E应能扳回这部分的差距。
虽然SLC SSD由于FLASH制造成本的关系价格居高不下，最近在各家厂商努力结果，采用双控制晶片的各式新款MLC SSD技术也逐渐突破写入效率较差的天限，
不断的朝向更为高速的读取写入的性能极限迈进，高效能省电低温的特性使得笔记型电脑的续航能力大大提升，不过因为资料的保存方式有别于硬碟，若是其中单颗记忆体故障则会完全无法救回储存在内的资料，加上储存单位的成本还是没有传统硬碟来的有竞争力，所以在短期间内还无法完全撼动传统硬碟的地位。不过在厂商的努力之下，相信未来SSD固态硬碟一定能够在各种不同的应用领域上大放异彩!!


x1 [楼主] From：欧洲 \| Posted：2009-02-19 01:21 \|



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